图6和图7中分别记录在不同温度下正负电晕充电的可溶性聚四氟乙烯电流谱。重复实验结果表明，在高温下的正负恒压电晕注极，如果合理地控制注极温度，可使负电的146℃低温峰和正电晕的86℃低温峰消失。与此同时，负电晕的2U5℃和正电晕的1.10 ℃高温峰分别向高温区漂移80"C和60℃,这是因为在高温充电期间，捕获在浅阱的载流子被热活化，它们中的一部分相继再次被捕获在较深的能阱内，实验指出最佳注极温度都在200℃左右(正负电晕)，在这个温度或该温度附近充电，在该材料的深阱内可能捕获到较大的电荷量。对Teflon 可溶性聚四氟乙烯,若注极温度低于200℃,浅阱载流子不能充分被活化，影响驻极体的电荷存贮寿命，若在高于2UU0J注极，较多深阱载流子由于热激发而脱阱，导致深阱内存贮的电荷量下降，影响注极效率。利用初始_L升法，和峰值清洗术，我们试图估算出Teflon 可溶性聚四氟乙烯 LP型膜的活化能，根据一次动态特性，在热释电初期，可溶性聚四氟乙烯电流和活化能之间的关系可用下式描述:f=I0eap(E,/KT)=na,eap(一E,/KT)式中，E.是第i个能阱活化能，n是热释电表2电晕充电的Teflon 可溶性聚四氟乙烯的活化能和试图逃逸频率在常温充电在2pD℃充电。

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│峰温  │活化能  │试图逃逸      │峰温 │活化能 │试日逃逸  │

│  (`C)│  (eV)  │频率          │(℃〕│(e V)  │  频率    │

│      │        │  Ga 1)       │      │        │  (昌一01 │

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│  5卜 │    0.7 │  2:2 x i0B   │221   │Iwww.jieyuechem.cnc │                

│26   │    1:D │  3.$x24'0    │      │    │                

│20a  j│!i.3   │  1 .8 x 101 `│      │    │                

│235】 │!1.!    │11.7、i。V    │      │    │                

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    前在可溶性聚四氟乙烯内捕获的初始电子数是试图逃逸频率，x是波尔兹曼常数，T是绝对温度，开路可溶性聚四氟乙烯电梳谱各峰温对应的活化能的关系见表2。